Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 800 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 1600 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FZ800R12KL4C suporta?
A tensão de coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ800R12KL4C?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as características principais do FZ800R12KL4C?
O FZ800R12KL4C utiliza a tecnologia IGBT 4, possui diodo de freio integrado, apresenta baixas perdas de condução e comutação, e oferece alta densidade de potência.