Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 800 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Corrente de pico de coletor (Icm) | 1600 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ800R12KF4?
O módulo IGBT FZ800R12KF4 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ800R12KF4?
O módulo FZ800R12KF4 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as características de corrente do módulo FZ800R12KF4?
O módulo FZ800R12KF4 tem uma corrente contínua de coletor (Ic) de 800 A e uma corrente de pico de coletor (Icm) de 1600 A. A corrente de gate (Ig) é de 100 mA.