Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Ig): ±200 mA |
| Tensão de porta | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.32 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do coletor-emissor do FP75R12KT3G?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A.
Quais as temperaturas de operação e o tipo de encapsulamento do FP75R12KT3G?
O FP75R12KT3G opera em temperaturas de -40 °C a 150 °C e utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Quais as aplicações típicas e tecnologias empregadas no FP75R12KT3G?
O FP75R12KT3G é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais. Ele utiliza a tecnologia IGBT 4 e possui um diodo de freio integrado (Fast Diode).