Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 50 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±0.3 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FP50R12KS4C?
O FP50R12KS4C suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo de potência FP50R12KS4C pode ser utilizado?
O FP50R12KS4C é adequado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12KS4C?
A temperatura de operação do FP50R12KS4C varia de -40 °C a +125 °C.