Infineon FP50R06KE3G

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 50 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.5 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado com baixa queda de tensão
  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FP50R06KE3G?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP50R06KE3G é de 600 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R06KE3G?

O FP50R06KE3G é projetado para aplicações em inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterrupta) e fontes de alimentação.

Qual a temperatura de operação do FP50R06KE3G?

A temperatura de operação do FP50R06KE3G varia de -40 °C a +125 °C.

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