Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e controle de motor.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.65 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP25R12KS4C?
O módulo IGBT FP25R12KS4C opera com uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200V e a tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20V.
Quais as características térmicas e de temperatura de operação do FP25R12KS4C?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.65 K/W e a temperatura de operação varia de -40°C a 150°C.
Quais as principais aplicações e características deste módulo?
O FP25R12KS4C é projetado para aplicações de inversor e controle de motor, utilizando a tecnologia IGBT 4 e diodo de roda livre integrado. Ele apresenta baixas perdas de condução e chaveamento, além de alta densidade de potência.