Infineon FP20R06W1E3B11

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Módulo de potência Infineon IGBT de alta eficiência, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência Infineon IGBT de alta eficiência, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 20 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.65 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 6 Pacotes IGBT com diodos anti-paralelos
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação UPS, acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FP20R06W1E3B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP20R06W1E3B11 é de 600 V.

Quais as aplicações típicas do FP20R06W1E3B11?

O FP20R06W1E3B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação UPS e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP20R06W1E3B11?

A faixa de temperatura de operação do FP20R06W1E3B11 é de -40 °C a +150 °C.

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