Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e controle de motor.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 30 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 0.2 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 1.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão máxima que o FP10R12YT3 pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP10R12YT3 pode operar em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características do FP10R12YT3?
O FP10R12YT3 possui tecnologia IGBT 4, diodo de roda livre integrado e isolamento galvânico.