Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT3 |
|---|---|
| Tensão do Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) | 10 A |
| Corrente Pulsada do Coletor (Icm) | 30 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de Fuga do Coletor (Ic, R) | 1 mA |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 0.2 A |
| Resistência Térmica (RthJC) | 1.0 K/W |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de Freio | Sim |
| Número de Transistores | 6 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FP10R12NT3 suporta?
O módulo de potência FP10R12NT3 possui uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R12NT3?
O FP10R12NT3 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
O FP10R12NT3 possui diodo de freio integrado e quantos transistores ele contém?
Sim, o FP10R12NT3 possui um diodo de freio integrado e contêm 6 transistores.