Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida Emitter Controlled 4. Projetado para aplicações de inversor de alta frequência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de recuperação rápida | Emitter Controlled 4 |
| Corrente nominal do diodo (IF) | 900 A |
| Corrente de pico do diodo (IFM) | 1800 A |
| Tensão direta do diodo (VF) | 1.7 V (típico) |
| Package | Module |
| Número de chaves | 6 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.025 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FF900R12IS4F pode suportar?
O módulo FF900R12IS4F possui uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF900R12IS4F?
O FF900R12IS4F pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.
Quais são as principais características do diodo de recuperação rápida do FF900R12IS4F?
O FF900R12IS4F utiliza um diodo de recuperação rápida Emitter Controlled 4, com corrente nominal (IF) de 900 A, corrente de pico (IFM) de 1800 A e tensão direta (VF) de 1.7 V (típico).