Descrição
Módulo de potência IGBT de 1700V com tecnologia TRENCHSTOP™ 5 e CoolSiC™ MOSFET para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 650 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Tecnologia MOSFET | CoolSiC™ |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 4.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ige) | 100 nA |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40°C a 175°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
| Resistência térmica junção | case (Rthjc): 0.04 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo módulo FF650R17ME4?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1700 V.
Quais as temperaturas de operação do módulo FF650R17ME4?
A temperatura de operação (Tj) do módulo FF650R17ME4 varia de -40°C a 175°C.
Quais as aplicações típicas do módulo FF650R17ME4?
O módulo FF650R17ME4 é indicado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.