Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 600 A |
| Corrente pulsada de coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | Module |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FF600R33KF2?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FF600R33KF2 é de 3300 V.
Quais as aplicações típicas do FF600R33KF2?
O FF600R33KF2 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.
Qual a temperatura de operação do FF600R33KF2?
A temperatura de operação do FF600R33KF2 varia de -40°C a +125°C.