Infineon FF600R12IS4F

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Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão Coletor Emissor (Vces): 1200 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) 600 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de Freio Diode Emitter Controlled 4 (EC4)
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Corrente de Pico (Icm) 1200 A
Tensão de Gate Emissor (Vge): ±20 V
Package Module
Resistência Térmica (RthJC) 0.025 K/W
Temperatura de Operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores de energia, acionamentos de motor, fontes de alimentação
Número de componentes 6x IGBTs, 6x Diodos

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo módulo FF600R12IS4F?

O módulo FF600R12IS4F suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.

Em quais aplicações o módulo FF600R12IS4F pode ser utilizado?

O módulo FF600R12IS4F é projetado para aplicações como inversores de energia, acionamentos de motor e fontes de alimentação.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FF600R12IS4F?

O módulo FF600R12IS4F opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

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