Infineon F450R12MS4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 450 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 900 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão nominal do diodo (Vf) 1.5 V (típico)
Corrente nominal contínua do diodo (If) 450 A
Corrente nominal pulsada do diodo (Ifm) 900 A
Resistência térmica junção a-carcaça (RthJC): 0.05 K/W
Package Press-Pack
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores de energia, conversores de frequência, acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal do Infineon F450R12MS4?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do Infineon F450R12MS4?

As aplicações típicas incluem inversores de energia, conversores de frequência e acionamentos de motor.

Qual a temperatura de operação do Infineon F450R12MS4?

A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.

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