Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 600V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 430A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200mA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon F430R06W1E3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 600V. A tensão de gate (Vge) é de ±20V.
Quais as características térmicas do módulo?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.06 K/W. A temperatura de operação varia de -40°C a +125°C.
Quais as principais aplicações e características deste módulo de potência?
O Infineon F430R06W1E3 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando a tecnologia IGBT 4, que proporciona baixas perdas de condução e chaveamento, além de alta densidade de potência. Ele vem em um package EconoDUAL™ 3 e possui configuração de ponte retificadora trifásica, com corrente nominal do coletor (Ic) de 430A.