Infineon FF100R17KT4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de roda livre Fast Diode
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) 200 nA
Temperatura de operação -40°C a 150°C
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.25 K/W

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do Infineon FF100R17KT4?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do Infineon FF100R17KT4 é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O Infineon FF100R17KT4 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C.

Quais as características do diodo de roda livre integrado ao módulo?

O Infineon FF100R17KT4 possui um diodo de roda livre do tipo Fast Diode.

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