Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora com freewheeling diode |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF100R12MT4?
O módulo IGBT FF100R12MT4 da Infineon opera com uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características térmicas do FF100R12MT4?
O FF100R12MT4 possui uma resistência térmica junção-caixa (RthJC) de 0.25 K/W e opera em temperaturas de -40 °C a 150 °C.
Quais as características do encapsulamento e configuração do FF100R12MT4?
O FF100R12MT4 vem em um pacote EconoDUAL™ 3 e possui uma configuração de ponte retificadora trifásica com diodo freewheeling.