Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Número de chaves | 2 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF100R12KT4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A temperatura de operação varia de -40 °C a +125 °C.
Quais são as aplicações típicas do FF100R12KT4?
O FF100R12KT4 é comumente utilizado em inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores.
Quais são as principais características do FF100R12KT4 em relação à corrente e tecnologia?
Este módulo IGBT utiliza tecnologia IGBT 4, possui uma corrente nominal do coletor (Ic) de 100 A e uma corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) de 200 A. O pacote é EconoDUAL™ 3.