Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 400 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 800 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FF400R12KE4?
O módulo de potência IGBT FF400R12KE4 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF400R12KE4?
O FF400R12KE4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de encapsulamento e tecnologia do FF400R12KE4?
O FF400R12KE4 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e a tecnologia IGBT 4. Ele também possui isolamento galvânico integrado.