Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.4 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF200R33KF2C?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 3300 V. O componente opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as principais aplicações do FF200R33KF2C?
O FF200R33KF2C é ideal para inversores de alta potência, acionamentos de motores e fontes de alimentação. Ele possui isolamento galvânico integrado e é construído com a tecnologia IGBT 4.
Quais as características de corrente e encapsulamento do FF200R33KF2C?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 200 A, com uma corrente pulsada de 400 A. O FF200R33KF2C é encapsulado em um package do tipo Press-Pack e possui 2 chaves.