Módulo IGBT Infineon FF200R33KF2C
Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon FF200R33KF2C, um componente de potência que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de projetos.
Especificações Técnicas do Infineon FF200R33KF2C:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Configuração: Dual
- Tensão coletor-emissor (VCES): 3300 V
- Corrente de coletor (IC): 200 A
- Frequência de chaveamento: Alta frequência
- Tempo de comutação: Curto
- Perdas de condução: Baixas
- Encapsulamento: Flow 2
- Aplicações: inversores, conversores, fontes de alimentação, acionamentos de motor e muito mais.
Por que escolher o módulo IGBT FF200R33KF2C?
O FF200R33KF2C da Infineon é a solução ideal para aplicações que exigem alta potência e eficiência. Com sua tecnologia IGBT de última geração, este módulo oferece:
- Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas de alta potência com facilidade.
- Baixas perdas de energia: Aumenta a eficiência do sistema e reduz o consumo energético.
- Excelente desempenho térmico: Garante a operação confiável mesmo em altas temperaturas.
- Robustez e durabilidade: Construído para suportar as condições mais exigentes.
Aplicações do FF200R33KF2C
Este módulo IGBT é uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Energia renovável: inversores solares, turbinas eólicas
- Automação industrial: acionamentos de motor, robótica, controle de processos
- Fontes de alimentação: no-breaks, fontes chaveadas, carregadores de bateria
- Transporte: veículos elétricos, trens, elevadores
Encontre o Infineon FF200R33KF2C na Mokka Sensors
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