Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 200 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 2.1 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Corrente de gate Ig | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, drives de motor, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF200R17KT4?
A tensão nominal do FF200R17KT4 é de 1700 V (Vces).
Em quais aplicações o FF200R17KT4 é tipicamente utilizado?
O FF200R17KT4 é projetado para aplicações como inversores solares, drives de motor e fontes de alimentação industriais.
Quais são as especificações de corrente do FF200R17KT4?
O FF200R17KT4 possui corrente nominal (Ic) de 200 A e corrente de pulso (Icm) de 400 A.