Infineon FF150R17KE3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 150 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 300 A
Tensão nominal gate emissor (Vge): ±20 V
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Corrente de fuga do coletor (Ic, Vce=1700V, Vge=0V) 2 mA
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Package EconoDUAL™ 3
Número de semicondutores 6
Diodo de roda livre integrado Sim
Aplicações Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do FF150R17KE3?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700V, e a tensão nominal gate-emissor (Vge) é ±20V. A temperatura de operação varia de -40°C a +125°C.

Quais as principais aplicações do FF150R17KE3?

O FF150R17KE3 é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.

Quais as características de corrente do FF150R17KE3?

A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é 150A, a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é 300A. A corrente de fuga do coletor (Ic) é 2 mA.

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