Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Tipo de encapsulamento | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.35 K/W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do DDB6U75N16W1R?
O DDB6U75N16W1R utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do DDB6U75N16W1R é de -40 °C a +150 °C.
Qual a tensão do coletor-emissor e a corrente contínua do coletor do DDB6U75N16W1R?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1600 V e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 75 A.