Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta densidade de corrente.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 300 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 300 A, 25°C: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 2.5 A |
| Capacitância de entrada (Cies) típica | 4.5 nF |
| Capacitância de saída (Coes) típica | 0.4 nF |
| Capacitância de transição (Cres) típica | 0.3 nF |
| Tempo de subida (tr) típico | 20 ns |
| Tempo de descida (tf) típico | 100 ns |
| Package | TO-247-3 |
| Faixa de temperatura de operação (Tj) | -40°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor DDB6U30N08VR pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U30N08VR?
A faixa de temperatura de operação (Tj) é de -40°C a +175°C.
Quais são as principais características de corrente do DDB6U30N08VR?
A corrente contínua de coletor (Ic) a 100°C é de 300 A e a corrente pulsada de coletor (Icm) é de 1200 A.