Infineon DDB6U144N16R

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Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e inversores industriais.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e inversores industriais.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 144 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 10 mA
Package Press-Pack
Temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Baixa indutância interna
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT DDB6U144N16R pode suportar?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1600 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo DDB6U144N16R?

O módulo opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

Quais as principais características do diodo de roda livre integrado no DDB6U144N16R?

O módulo possui um diodo de roda livre (Fast Diode) integrado. A corrente de fuga reversa (Ir) é de 10 mA.

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