Infineon DDB2U30N08VR: Módulo IGBT Triplo de Alta Potência
O Infineon DDB2U30N08VR é um módulo IGBT triplo projetado para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade excepcionais. Com uma configuração de três IGBTs independentes, este módulo oferece flexibilidade e controle preciso em uma variedade de projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do DDB2U30N08VR
- Tensão de Ruptura do Coletor-Emissor (Máx.): 600V
- Corrente do Coletor (Ic) (Máx.): 25A
- Potência Máxima: 83.5W
- Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A
- Corrente de Corte do Coletor (Máx.): 1mA
- Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V
- Entrada: Padrão
- Termistor NTC: Sim
- Temperatura de Operação: -40°C ~ 125°C
- Tipo de Montagem: Montagem em Chassi
- Pacote / Caixa: Módulo
Aplicações do Módulo IGBT Infineon
O módulo IGBT DDB2U30N08VR da Infineon é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Condicionadores de energia
- Sistemas de acionamento de motor
- Controles industriais
Benefícios do DDB2U30N08VR
Este módulo IGBT oferece vários benefícios que o tornam uma escolha superior para seus projetos:
- Alta eficiência: Perdas de energia reduzidas, resultando em maior eficiência energética.
- Confiabilidade robusta: Construído para suportar condições operacionais exigentes.
- Proteção integrada: Termistor NTC para monitoramento térmico.
- Design compacto: Otimiza o espaço e a densidade de potência.
- Fácil integração: Simplifica o processo de design.
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são para fins informativos. Consulte a folha de dados oficial do produto para obter especificações detalhadas e diretrizes de aplicação.
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