Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em fontes de alimentação e conversores DC DC.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 30 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 8.2 mΩ a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate Continua (Ig) | 200 mA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1500 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET DDB2U30N08VR?
A temperatura de operação do DDB2U30N08VR varia de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o DDB2U30N08VR pode suportar entre o Drain e o Source?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima suportada pelo DDB2U30N08VR é de 80 V.
Qual o tipo de encapsulamento do DDB2U30N08VR e qual a tecnologia utilizada?
O DDB2U30N08VR utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8 e a tecnologia OptiMOS™ 3.