Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Máxima de Coletor Contínua (Ic) | 150 A |
| Corrente Máxima de Coletor Pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão Máxima Gate | Emissor (Vgem): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Resistência Térmica Coletor | Emissor (RthJC): 0.35 K/W |
| Temperatura Máxima de Junção (Tj) | 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Ponte Retificadora com Freewheeling Diode |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM150GB120DLC pode suportar?
O módulo IGBT BSM150GB120DLC da Infineon suporta uma tensão máxima Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão máxima Gate-Emissor (Vgem) de ±20 V.
Quais as aplicações típicas do BSM150GB120DLC?
O BSM150GB120DLC é ideal para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e controle de motores, conforme especificado.
Qual a temperatura máxima de operação do BSM150GB120DLC?
A temperatura máxima de junção (Tj) do BSM150GB120DLC é de 150 °C. Além disso, a resistência térmica Coletor-Emissor (RthJC) é de 0.35 K/W.