Descrição
Módulo de potência Infineon BSM10GP60, um transistor de potência IGBT com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 10 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 6 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 10A, 15V: 2.0 V (típico) |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Corrente do Diodo de Roda Livre (If) a 25°C | 10 A |
| Tensão de Saturação do Diodo (Vf) a 10A | 1.5 V (típico) |
| Tensão Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Package | PG-TO247-3 |
| Aplicações | Inversores, Fontes de Alimentação, Controle de Motor |
FAQ
Qual o tipo de transistor do BSM10GP60 e para quais aplicações ele é indicado?
O BSM10GP60 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Ele é projetado para aplicações como inversores, fontes de alimentação e controle de motor.
Quais são os limites de operação de tensão e corrente do BSM10GP60?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) é de 600 V. A corrente contínua de coletor (Ic) é de 10 A a 25°C e 6 A a 100°C. O diodo de roda livre integrado suporta uma corrente (If) de 10 A.
Qual a faixa de temperatura de operação e qual o package do BSM10GP60?
O BSM10GP60 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C. O package é PG-TO247-3.