Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.2 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM100GT120DN2 suporta?
O módulo Infineon BSM100GT120DN2 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM100GT120DN2?
A temperatura de operação (Tj) do BSM100GT120DN2 varia de -40°C a +150°C.
O BSM100GT120DN2 possui diodo de roda livre integrado?
Sim, o BSM100GT120DN2 possui um diodo de roda livre integrado.