Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores solares e sistemas de energia.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão nominal | 1200 V |
| Corrente nominal (TC=100°C) | 75 A |
| Tensão de gate | source (VGS): ±20 V |
| Tensão de drain | source (VDS): 1200 V |
| Resistência Rds(on) (VGS=15V, ID=75A, TC=25°C) | 40 mΩ |
| Corrente de drain contínua (TC=100°C) | 75 A |
| Corrente de drain pulsada (TC=25°C) | 150 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Half-bridge |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de armazenamento de energia, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no BSM75GD120DLC e quais suas principais características elétricas?
O BSM75GD120DLC utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET. Sua tensão nominal é de 1200 V, a corrente nominal (TC=100°C) é de 75 A, a resistência Rds(on) (VGS=15V, ID=75A, TC=25°C) é 40 mΩ, e a corrente de drain contínua (TC=100°C) é 75 A. A corrente de drain pulsada (TC=25°C) é 150 A.
Quais as especificações de tensão e temperatura de operação do BSM75GD120DLC?
A tensão de gate-source (VGS) suportada é de ±20 V, e a tensão de drain-source (VDS) é de 1200 V. A temperatura de operação varia de -40°C a +150°C.
Em quais aplicações o BSM75GD120DLC é tipicamente utilizado e qual seu encapsulamento e configuração?
O BSM75GD120DLC é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de armazenamento de energia e acionamentos de motor. Ele utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui configuração half-bridge.