Infineon BSM75GB170DN2: Módulo IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O Infineon BSM75GB170DN2 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência que oferece desempenho excepcional e confiabilidade em uma variedade de aplicações industriais. Projetado para operar em condições extremas, este módulo é ideal para inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de acionamento de motores.
Especificações Técnicas do BSM75GB170DN2
Com uma tensão de bloqueio de 1700V e uma corrente de coletor de 110A, o BSM75GB170DN2 oferece excelente capacidade de manuseio de energia. Sua construção robusta e design térmico eficiente garantem operação confiável e longa vida útil, mesmo em ambientes desafiadores.
Algumas das principais características do módulo IGBT Infineon BSM75GB170DN2 incluem:
- Tecnologia Trenchstop™ IGBT de última geração para baixa perda de comutação e alta eficiência.
- Diodos de roda livre rápidos integrados para reduzir perdas e melhorar o desempenho.
- Isolamento elétrico de alta qualidade para garantir segurança operacional.
- Compatível com RoHS e livre de substâncias perigosas.
- Encapsulamento compacto e robusto para fácil integração em diversos projetos.
Aplicações do Módulo IGBT Infineon
O módulo IGBT BSM75GB170DN2 da Infineon é uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Energia Renovável: Inversores solares, turbinas eólicas.
- Automação Industrial: Controladores de motor, robótica, sistemas de soldagem.
- Fontes de Alimentação: UPS, fontes de alimentação de alta potência, carregadores de bateria.
- Transporte: Trens, veículos elétricos, sistemas de propulsão.
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