Infineon BSM75GB120DN2

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SKU: BSM75GB120DN2 Categoria: Tag:

Módulo IGBT Infineon BSM75GB120DN2

Procurando por um módulo IGBT de alta potência e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM75GB120DN2, um componente eletrônico de última geração que oferece desempenho excepcional e eficiência energética.

Especificações Técnicas do BSM75GB120DN2:

  • Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Configuração: Half-Bridge (Meia Ponte)
  • Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 1200V
  • Corrente Contínua de Coletor (Ic): 105A
  • Dissipação de Potência (Pd): 625W
  • Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
  • Encapsulamento: Módulo com base de metal isolada
  • Montagem: Parafuso
  • Fabricante: Infineon Technologies

Características e Benefícios do Módulo IGBT Infineon:

O BSM75GB120DN2 é um módulo IGBT de alta performance, ideal para aplicações que exigem alta potência e comutação rápida, como:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Inversores de frequência
  • Conversores de energia
  • Sistemas de acionamento de motores
  • Aplicações de aquecimento por indução

Este módulo IGBT da Infineon oferece uma série de vantagens, incluindo:

  • Alta eficiência: Perdas de condução e comutação reduzidas, resultando em menor consumo de energia.
  • Robustez e confiabilidade: Tecnologia NPT (Non Punch Through) para maior resistência a curto-circuitos e sobretensões.
  • Facilidade de uso: Design compacto e encapsulamento robusto que simplificam a integração em seus projetos.
  • Excelente desempenho térmico: Base de metal isolada para melhor dissipação de calor.

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