Módulo IGBT BSM50GX120DN2 Infineon
Procurando por um módulo IGBT de alta potência e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o BSM50GX120DN2 da Infineon Technologies, um componente de alto desempenho que oferece excelente eficiência e robustez para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do BSM50GX120DN2:
- Configuração: Ponte completa trifásica
- Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 1200V
- Corrente de Colector Contínua a 25°C (Ic): 50A
- Tensão de Saturação do Coletor-Emissor (VCEsat): 2.2V
- Dissipação de Potência (Pd): 400W
- Encapsulamento: Módulo de potência com base isolada
Aplicações do Módulo IGBT Infineon:
O módulo IGBT BSM50GX120DN2 é ideal para uma ampla gama de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motores industriais
- Soldagem
- Aquecimento por indução
- Energia renovável (solar e eólica)
Benefícios do BSM50GX120DN2:
Ao escolher o BSM50GX120DN2 da Infineon, você se beneficia de:
- Alta eficiência: Perdas de condução e comutação reduzidas, resultando em menor consumo de energia.
- Robustez e confiabilidade: Tecnologia de chip IGBT Trenchstop™ e encapsulamento robusto para maior durabilidade.
- Excelente desempenho térmico: Design otimizado para dissipação de calor eficiente.
- Facilidade de uso: Compatível com drivers padrão de mercado.
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