Descrição
Módulo de potência Infineon BSM50GP120, um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de alta performance para aplicações de potência.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) a 100°C | 30 A |
| Tensão Máxima Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 50A, 25°C: 2.0 V |
| Corrente de Fuga Coletor | Emissor (Ices) a 1200V, 25°C: 1 mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) a 25V | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) a 25V | 300 pF |
| Capacitância Reverse (Cres) a 25V | 150 pF |
| Tempo de Subida (tr) a 100A, 600V, 150°C | 50 ns |
| Tempo de Descida (tf) a 100A, 600V, 150°C | 100 ns |
| Resistência Térmica Coletor | Case (Rthjc): 0.5 K/W |
| Package | Módulo de Potência |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual o tipo de transistor do BSM50GP120 e qual sua tensão máxima?
O BSM50GP120 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) com tensão máxima Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação e qual a corrente máxima do coletor?
O BSM50GP120 opera entre -40°C e +150°C. A corrente máxima do coletor (Ic) é 50 A a 25°C e 30 A a 100°C.
Qual o tempo de resposta e qual a tensão de saturação do BSM50GP120?
O tempo de subida (tr) é 50 ns e o tempo de descida (tf) é 100 ns. A tensão de saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) a 50A, 25°C é 2.0 V.