Infineon BSM50GD120DN2G: Módulo IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O Infineon BSM50GD120DN2G é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) trifásico de alta potência, projetado para atender às demandas de aplicações industriais e de acionamento de motores que exigem alto desempenho e confiabilidade. Com uma tensão de bloqueio de 1200V e uma corrente de coletor de 50A, este módulo oferece uma solução robusta e eficiente para controle de motores, inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações de alta potência.
Especificações Técnicas do Infineon BSM50GD120DN2G:
- Tensão de coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 50A
- Configuração: Ponte completa trifásica
- Tecnologia de chip: Trenchstop™ 5
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: Módulo de potência
- Montagem: Chassis Mount
- Número de pinos: 7
- Peso: 200g
Características e Benefícios:
O módulo BSM50GD120DN2G da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para aplicações de alta potência:
- Alta eficiência: A tecnologia Trenchstop™ 5 garante baixas perdas de condução e comutação, resultando em maior eficiência energética e menor geração de calor.
- Robustez e confiabilidade: O módulo é projetado para suportar condições operacionais adversas, com alta resistência a curto-circuito e proteção contra sobretensão.
- Facilidade de uso: O encapsulamento compacto e a configuração de ponte completa simplificam a integração em projetos de acionamento de motores e outras aplicações.
- Excelente desempenho térmico: O design otimizado do módulo permite uma dissipação de calor eficiente, garantindo a estabilidade e a longevidade do dispositivo.
Aplicações Típicas:
O Infineon BSM50GD120DN2G é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Acionamentos de motores industriais
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia solar
- Soldagem
- Aquecimento por indução
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