Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de alta tensão e corrente.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT
- Diodo de freewheeling integrado
- Baixa indutância de stray
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do BSM100GB170DN2?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do BSM100GB170DN2 é de 1700 V.
Em quais aplicações o BSM100GB170DN2 é comumente utilizado?
O BSM100GB170DN2 é aplicado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.
Qual o tipo de encapsulamento e a corrente contínua do coletor do BSM100GB170DN2?
O BSM100GB170DN2 possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e sua corrente contínua do coletor (Ic) é de 100 A.