Módulo IGBT Infineon BSM100GB120DN2K
Procurando por um módulo IGBT de alta potência e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM100GB120DN2K, um componente de última geração que oferece desempenho excepcional e eficiência energética.
Especificações Técnicas do Infineon BSM100GB120DN2K:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Configuração: Meia ponte com diodos de roda livre rápidos
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 100A
- Frequência de chaveamento: Alta frequência
- Encapsulamento: Módulo com base de metal isolada
- Aplicações: Inversores, conversores, acionamentos de motor e outras aplicações de alta potência
Características Principais do BSM100GB120DN2K
O módulo IGBT BSM100GB120DN2K da Infineon é projetado para atender às demandas de aplicações que exigem alta potência e eficiência. Ele oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas de alta potência com facilidade.
- Baixas perdas de condução: Aumenta a eficiência energética e reduz a dissipação de calor.
- Alta velocidade de chaveamento: Possibilita o uso em aplicações de alta frequência, resultando em menor tamanho e peso dos componentes.
- Robustez e confiabilidade: Construído com materiais de alta qualidade e tecnologia avançada, garantindo longa vida útil e operação confiável em ambientes desafiadores.
Aplicações do Módulo IGBT Infineon
O BSM100GB120DN2K é ideal para uma variedade de aplicações, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Energia solar fotovoltaica
- Acionamentos de motores industriais
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem
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