Descrição
Transistor de silício NPN de alta tensão, encapsulado em SOT 223, projetado para aplicações de comutação e amplificação.
Especificações
| Tipo de Transistor | NPN |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Base (Vcbo): 600 V |
| Tensão Máxima Emissor | Base (Vebo): 6 V |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) | 1 A |
| Corrente Máxima de Coletor Pulsada (Icm) | 2 A |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 1.5 W |
| Ganho de Corrente DC (hFE) | Mínimo 20 |
| Frequência de Transição (fT) | 3 MHz |
| Encapsulamento | SOT-223 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor 2SD316EI17?
O transistor 2SD316EI17 é encapsulado em SOT-223.
Qual a faixa de temperatura de operação do 2SD316EI17?
A temperatura de operação do 2SD316EI17 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são os principais parâmetros elétricos do 2SD316EI17?
O 2SD316EI17 é um transistor NPN com Vcbo de 600 V, Vebo de 6 V, Ic de 1 A, Icm de 2 A, Pd de 1.5 W, hFE mínimo de 20 e fT de 3 MHz.