Descrição
Transistor de potência NPN bipolar, projetado para aplicações de comutação e amplificação em fontes de alimentação e circuitos de áudio.
Especificações
| Tipo de Transistor | NPN |
|---|---|
| Tensão Coletor | Base (Vcbo): 70 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) | 3 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 5 A |
| Tensão Base | Emissor (Vbe): 5 V |
| Ganho de Corrente DC (hFE) | Mínimo 40, Máximo 200 |
| Dissipação de Potência (Pd) | 2 W |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Frequência de Transição (fT) | 100 MHz |
| Polaridade | NPN |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor 2SD316EI12?
O transistor 2SD316EI12 possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do 2SD316EI12?
A temperatura de operação do 2SD316EI12 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são algumas das principais características elétricas do 2SD316EI12?
O 2SD316EI12 é um transistor NPN com tensão Coletor-Base (Vcbo) de 70 V, corrente de coletor contínua (Ic) de 3 A, corrente de coletor pulsada (Icm) de 5 A, e ganho de corrente DC (hFE) entre 40 e 200. Sua dissipação de potência (Pd) é de 2 W e a frequência de transição (fT) é de 100 MHz.