Descrição
O Infineon 2ED100E12F2 é um driver de gate de alta performance para aplicações automotivas, projetado para controlar MOSFETs de SiC e IGBTs.
Especificações
| Tensão de alimentação | 12V |
|---|---|
| Corrente de pico de saída | 10A |
| Tempo de propagação de subida/descida | 30ns |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Proteção contra subtensão (UVLO)
- Proteção contra sobrecorrente (OCP)
- Isolamento galvânico
- Adequado para controle de semicondutores de banda larga (SiC, GaN)
- Baixa indutância de saída
- Alta imunidade a ruído
FAQ
Qual o encapsulamento do driver 2ED100E12F2?
O driver 2ED100E12F2 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do 2ED100E12F2?
A faixa de temperatura de operação do 2ED100E12F2 é de -40°C a +150°C.
Quais proteções o 2ED100E12F2 oferece?
O 2ED100E12F2 oferece proteção contra subtensão (UVLO) e proteção contra sobrecorrente (OCP), além de isolamento galvânico.