Descrição
O 2ED100E12F é um driver de gate de alta tensão da Infineon, projetado para aplicações de semicondutores de potência.
Especificações
| Tensão de alimentação do driver | 12V |
|---|---|
| Tensão de saída do driver | 12V |
| Corrente de pico de saída (sink/source) | 2A/1A |
| Tempo de propagação de atraso | 100ns |
| Proteção contra curto | circuito |
| Encapsulamento | PG-DSO-8 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a 125°C |
Recursos
- Proteção contra subtensão (UVLO)
- Proteção contra sobrecorrente (OCP)
- Proteção contra sobretemperatura (OTP)
- Adequado para acionamento de MOSFETs e IGBTs
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual o encapsulamento do 2ED100E12F?
O 2ED100E12F é fornecido no encapsulamento PG-DSO-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do 2ED100E12F?
A faixa de temperatura de operação do 2ED100E12F é de -40°C a 125°C.
Quais as proteções integradas no 2ED100E12F?
O 2ED100E12F oferece proteção contra curto-circuito, subtensão (UVLO), sobrecorrente (OCP) e sobretemperatura (OTP).