Descrição
Módulo de potência IGBT trifásico Infineon com diodos de freio, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de fases | 3 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodos de freio integrados (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo DF1000R17IE4P?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do DF1000R17IE4P é de 1700 V.
Em quais aplicações o módulo DF1000R17IE4P é tipicamente utilizado?
O DF1000R17IE4P é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do DF1000R17IE4P?
O DF1000R17IE4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.