Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.5 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP35R12U1T4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do módulo?
O módulo FP35R12U1T4 opera entre -40°C e +125°C.
Quais as aplicações típicas do FP35R12U1T4?
O FP35R12U1T4 é projetado para aplicações em inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais.