Infineon FF600R12IE4V

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de freewheeling E4
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Corrente de pulso do coletor (Icm) 1200 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 1.5 µA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.04 K/W
Package Module
Número de pinos 6
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do FF600R12IE4V?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do FF600R12IE4V é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do FF600R12IE4V é de -40 °C a +125 °C.

Quais as características do IGBT e do diodo de freewheeling deste módulo?

O FF600R12IE4V utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e possui um diodo de freewheeling E4 integrado.

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