Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 5 e CoolSiC™ MOSFET para aplicações de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 900 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Tecnologia de diodo de roda livre | CoolSiC™ MOSFET |
| Configuração | 6-pack |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.85 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 2 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Isolamento galvânico | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Baixas perdas de comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do FF900R12IE4V?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FF900R12IE4V é de 1200 V.
Em quais aplicações o FF900R12IE4V é tipicamente utilizado?
O FF900R12IE4V é utilizado em inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF900R12IE4V?
A temperatura de operação do FF900R12IE4V varia de -40 °C a 125 °C.