Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 800 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixa perda de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico aprimorado
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FF450R08A03P2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF450R08A03P2?
O módulo de potência FF450R08A03P2 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais são as características da tecnologia do FF450R08A03P2?
O FF450R08A03P2 utiliza tecnologia IGBT 4, possui baixa perda de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento térmico aprimorado.