Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de alta potência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tecnologia IGBT | Trench/Fieldstop |
| Tipo de diodo | Ultrafast Emitter Controlled Diode |
| Configuração | Half-bridge |
| Tensão de isolamento (Viso) | 3000 Vrms |
| Tensão de gate | emissor (VGE): ±20 V |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Interface de gate otimizada
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo FS200R07A1E3?
A tensão de isolamento (Viso) do módulo FS200R07A1E3 é de 3000 Vrms.
Quais as temperaturas de operação do FS200R07A1E3?
A temperatura de operação (Tj) do FS200R07A1E3 varia de -40 °C a +150 °C.
Qual a configuração do FS200R07A1E3 e quais seus benefícios?
O FS200R07A1E3 possui configuração half-bridge. Os benefícios incluem baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e interface de gate otimizada.