Descrição
Módulo de potência Infineon EconoDUAL™ 3 com tecnologia IGBT de alta eficiência e diodo de roda livre rápido.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tecnologia IGBT | TrenchField™ |
| Diodo de roda livre | Rapid 4 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Baixa indutância interna
- Interface de controle de baixa tensão
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FS50R07W1E3_B11A?
A tensão de isolamento do módulo de potência FS50R07W1E3_B11A é de 2500 Vrms.
Quais são as aplicações típicas do módulo FS50R07W1E3_B11A?
O FS50R07W1E3_B11A é tipicamente utilizado em inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FS50R07W1E3_B11A?
O FS50R07W1E3_B11A utiliza a tecnologia IGBT TrenchField™.