Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3 e diodo de recuperação rápida. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vcesat): 700 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic_leak) | 1 mA (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA (típico) |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a 150 °C |
| Package | H3 (Half-bridge) |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Baixa indutância de stray
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo de potência Infineon F4-75R07W1H3_B11A?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Quais as temperaturas de operação do módulo?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas para o Infineon F4-75R07W1H3_B11A?
O módulo é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, e possui um diodo de recuperação rápida integrado e baixa indutância de stray.