Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1000 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2000 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Perda de energia por chaveamento (Eon/Eoff) | Baixa |
| Resistência térmica junção | a-case (Rth(j-c)): 0.02 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 4800 Vrms |
| Package | Module |
| Faixa de temperatura de operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Drives de motores, fontes de alimentação de alta potência, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
FAQ
Qual a tensão nominal do FZ1000R33HE3?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 3300 V.
Quais as aplicações típicas do FZ1000R33HE3?
O FZ1000R33HE3 é projetado para drives de motores, fontes de alimentação de alta potência e sistemas de energia renovável.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1000R33HE3?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40°C a +150°C.